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고속 복구 다이오드의 내부 구조는 PIN 접합 다이오드에 속하는 일반 PN 접합 다이오드와 다릅니다. 즉, P형 실리콘 재료와 N형 실리콘 재료의 중간에 베이스 영역 I을 추가하여 PIN을 형성합니다. 실리콘 웨이퍼. 베이스 영역이 매우 얇기 때문에 역회복 전하가 매우 작으므로 고속 회복 다이오드의 역회복 시간이 짧고, 순방향 전압 강하가 낮으며, 역항복 전압(내전압 값)이 높다.
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